3月24日，三星在先进晶圆代工领域迎来关键突破，其2纳米工艺良率正式突破60%，凭借极快的爬坡速度追平行业头部水准，彻底扭转此前低良率困境，同时打开低成本量产高性能芯片、抢占全球客户订单的全新格局。据韩媒Hankyung最新报道，三星2nm工艺良率实现跨越式增长，短短两个季度内良率暴涨两倍有余。去年下半年，该工艺良率仅维持在20%左右，晶圆有效产出极低，量产能力远不及预期；如今直接跃升至60%以上

中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）顺利成功出束，核心指标直达国际先进水平，标志着我国彻底打破国外在该领域的长期技术封锁与垄断。图源：中国原子能科学研究院作为芯片制造“四大核心装备”之一，离子注入机是半导体制造不可或缺的刚需设备，堪称功率半导体的“精准离子炮”，其核心作用是将氢离子加速至超高能级后精准注入半导体材料深层，决定芯片耐压能力、开关

全球高性能RISC-V处理器IP龙头SiFive正式宣布，将成为首家集成英伟达NVLink技术的RISC-V芯片设计厂商，通过芯片间高速互连能力，为开放架构与顶尖AI算力的融合开辟新路径。作为与软银旗下Arm并列的芯片IP方案提供商，SiFive为客户提供核心组件蓝图，助力其打造专属完整芯片设计。而RISC-V作为Arm封闭架构的开放标准替代方案，凭借灵活定制优势备受青睐，随着Arm加码芯片设计领